亚洲午夜福利在线观看,亚洲小说图片视频,亚洲成AV人片一区二区

　　　　　　　　　　　 ONCHIP(芯片上) ESD防護(hù)設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班

培養(yǎng)對(duì)象

本科及本科以上電子類相關(guān)專業(yè)或在業(yè)內(nèi)具備相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)者，具備電子電路基礎(chǔ)，有志于學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)課程者

入學(xué)要求

學(xué)員學(xué)習(xí)本課程應(yīng)具備下列基礎(chǔ)知識(shí)：
◆電路系統(tǒng)的基本概念。

班級(jí)規(guī)模及環(huán)境--熱線:4008699035 手機(jī):15921673576( 微信同號(hào))

每期人數(shù)限3到5人。

上課時(shí)間和地點(diǎn)

上課地點(diǎn)：【上海】：同濟(jì)大學(xué)(滬西)/新城金郡商務(wù)樓(11號(hào)線白銀路站) 【深圳分部】：電影大廈(地鐵一號(hào)線大劇院站)/深圳大學(xué)成教院【北京分部】：北京中山學(xué)院/福鑫大樓【南京分部】：金港大廈(和燕路) 【武漢分部】：佳源大廈（高新二路）【成都分部】：領(lǐng)館區(qū)1號(hào)（中和大道）【沈陽(yáng)分部】：沈陽(yáng)理工大學(xué)/六宅臻品【鄭州分部】：鄭州大學(xué)/錦華大廈【石家莊分部】：河北科技大學(xué)/瑞景大廈【廣州分部】：廣糧大廈【西安分部】：協(xié)同大廈
最近開課時(shí)間(周末班/連續(xù)班/晚班）： ESD開課時(shí)間：2025年4月7日--即將開課-----即將開課，歡迎垂詢

實(shí)驗(yàn)設(shè)備

　    ☆資深工程師授課


        ☆注重質(zhì)量
        ☆邊講邊練
        ☆合格學(xué)員免費(fèi)推薦工作

        ☆合格學(xué)員免費(fèi)頒發(fā)相關(guān)工程師等資格證書，提升您的職業(yè)資質(zhì)

        專注高端培訓(xùn)15年，端海提供的證書得到本行業(yè)的廣泛認(rèn)可，學(xué)員的能力
        得到大家的認(rèn)同，受到用人單位的廣泛贊譽(yù)。

        ★實(shí)驗(yàn)設(shè)備請(qǐng)點(diǎn)擊這兒查看★

最新優(yōu)惠

◆請(qǐng)咨詢客服。

質(zhì)量保障

        1、可免費(fèi)在以后培訓(xùn)班中重聽；
        2、免費(fèi)提供課后技術(shù)支持，保障培訓(xùn)效果。
        3、培訓(xùn)合格學(xué)員可享受免費(fèi)推薦就業(yè)機(jī)會(huì)。

　　　　　 ONCHIP(芯片上) ESD防護(hù)設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班

培訓(xùn)對(duì)象：

從事模擬/數(shù)字/混合/RF IC，MEMS，存儲(chǔ)器和平板顯示相關(guān)的設(shè)計(jì)、制造和表征的工程師及管理者。半導(dǎo)體器件，集成電路設(shè)計(jì)和一般電子系統(tǒng)領(lǐng)域的教師和學(xué)生。

課程背景:

靜電放電（ESD）現(xiàn)象在半導(dǎo)體行業(yè)中是普遍存在的。它隨時(shí)可能發(fā)生在半導(dǎo)體器件和集成電路的制作、測(cè)試、封裝直到用戶使用的任何過程中。近期美國(guó)公布了涉及10多個(gè)行業(yè)因靜電放電造成的損失調(diào)查結(jié)果，平均每年的直接經(jīng)濟(jì)損失高達(dá)200多億美元，僅電子工業(yè)部門每年因靜電危害損壞電子元器件的損失就高達(dá)100多億美元。每年因靜電擊穿而造成失效的芯片占總失效芯片的35%。ESD的保護(hù)變得越來越重要。

隨著深亞微米及納米級(jí)IC工藝的發(fā)展和射頻、高速集成電路產(chǎn)品的開發(fā)，靜電放電現(xiàn)象的破壞力日益增強(qiáng)。傳統(tǒng)的二極管靜電保護(hù)方法，已經(jīng)不能滿足業(yè)界對(duì)靜電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)的要求。如何保護(hù)集成電路不被靜電擊穿，已成為各半導(dǎo)體代工企業(yè)越來越重視的問題。靜電放電防護(hù)設(shè)計(jì)也成為集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)要重點(diǎn)解決的一個(gè)關(guān)鍵問題，

課程大綱

第一階段

芯片上ESD防護(hù)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

一．ESD防護(hù)的基本模型
1. HBM模型
2. MM模型
3. CDM模型
4.IEC簡(jiǎn)化模型5.其他模型

二．ESD測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)

1. ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介和分類
2. HBM模式測(cè)試方法與測(cè)試儀器
3. MM模式測(cè)試方法與測(cè)試儀器
4. CDM模式測(cè)試方法與測(cè)試儀器
5.TLP的測(cè)試方法與測(cè)試儀器
6.電子槍放電的測(cè)試方法與測(cè)試儀器

三．常用的ESD防護(hù)的器件

1.二極管及二極管串設(shè)計(jì)及建模
2.三極管及場(chǎng)氧器件設(shè)計(jì)及建模
3.MOS管及其相關(guān)設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)及建模
4.晶閘管及其相關(guān)設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)及建模

四、系統(tǒng)級(jí)和電路板級(jí)ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)

1.ESD需求指標(biāo)的設(shè)定
2.IC輸入/輸出端的ESD防護(hù)電路
3.混合信號(hào)IC的ESD防護(hù)電路。
4.全芯片級(jí)ESD防護(hù)的設(shè)計(jì)
5.IC電路布線布局優(yōu)化6.電路板級(jí)ESD防護(hù)的設(shè)計(jì)。

第二階段

納米集成電路上ESD防護(hù)設(shè)計(jì)

一、晶閘管類ESD防護(hù)器件設(shè)計(jì)

1. 晶閘管ESD防護(hù)器件工作機(jī)理以及晶閘管類器件設(shè)計(jì)可能出現(xiàn)的問題。
2. 對(duì)不同種類晶閘管器件結(jié)構(gòu)的回顧。
3. 晶閘管的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)方法論。
4. 晶閘管器件直流和混合模式的TCAD仿真

二、鉗位單元設(shè)計(jì)

1. CMOS工藝中關(guān)鍵ESD元件設(shè)計(jì)。
2. 以可控方式泄放ESD電荷的鉗位單元設(shè)計(jì)。
3. 影響ESD防護(hù)性能的設(shè)計(jì)因素考慮。

三、 CDM模式ESD的設(shè)計(jì)及測(cè)試研究

1.VF-TLP與TLP測(cè)試原理
2.常用開啟速度測(cè)試方法
3.利用TLP測(cè)試器件的開始速度
4.不同器件的開啟速度的評(píng)估

四 CAD仿真工具在ESD防護(hù)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

1. SPICE電路級(jí)仿真與器件建模的研究進(jìn)展
2. 工藝器件級(jí)TCAD仿真的應(yīng)用

五、射頻集成電路的ESD設(shè)計(jì)

1. 射頻ESD簡(jiǎn)介。
2. 射頻ESD測(cè)試專題。
3. 射頻ESD防護(hù)建模。
4. 射頻ESD 防護(hù)設(shè)計(jì)。
5. 射頻功能完整性的ESD優(yōu)化。
6. 利用工藝仿真器和器件仿真器來進(jìn)行射頻ESD輔助設(shè)計(jì)。

六、實(shí)際案例分析

1、常用的基于晶閘管(SCR)的靜電放電(ESD)防護(hù)電路
2、柵輔助觸發(fā)的高性能晶閘管(SCR)的靜電放電(ESD)防護(hù)電路
3、空間對(duì)稱結(jié)構(gòu)的高性能晶閘管(SCR)的靜電放電(ESD)防護(hù)電路