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• 第一篇 失效分析技術(shù)方法及分析技巧
• 失效分析的目的是找到失效樣品的失效機理及其失效原因。找到失效機理及失效原因的根本在于“失效證據(jù)”，即要找什么“失效證據(jù)”，用什么來找“失效證據(jù)”，怎樣剖析找到的“失效證據(jù)”，診斷元器件的失效機理和原因。
• 本篇按照“先外部，后內(nèi)部，先非破壞性分析到破壞性分析”的失效分析基本原則，圍繞找什么證據(jù)，用什么找證據(jù)”，找到證據(jù)怎樣剖析介紹失效分析的分析流程、分析方法、分析技巧，以及目前失效分析的主要儀器設(shè)備的應(yīng)用。
• 第一講 失效分析概論
• 1.基本概念
• 2.失效分析的定義和作用
• 3.失效模式
• 4.失效機理
• 5.一些標(biāo)準(zhǔn)對失效分析的要求
• 6.標(biāo)準(zhǔn)和資料
• 第二講 失效分析技術(shù)和設(shè)備
• 1. 失效分析基本程序
• A.基本方法與程序
• B.失效信息調(diào)查與方案設(shè)計
• C.非破壞性分析的基本路徑
• D.半破壞性分析的基本路徑
• E. 破壞性分析的基本路徑
• F.報告編制
• 2. 非破壞性分析的基本路徑
• A.外觀檢查
• B.電參數(shù)測試分析與模擬應(yīng)力試驗
• C.檢漏與PIND
• D.X光與掃描聲學(xué)分析
• 3.半破壞性分析的基本路徑
• A.開封技術(shù)與可動微粒收集
• B.內(nèi)部氣氛檢測(與前項有沖突)
• C.不加電的內(nèi)部檢查(光學(xué).SEM與EDS.微區(qū)成分)
• D.加電的內(nèi)部檢查(微探針.紅外熱像.EMMI光發(fā)射.電壓襯度像.束感生電流像.電子束探針).
• 4.破壞性分析的基本路徑
• 5.分析技術(shù)與分析設(shè)備清單
• 第二篇 電子元器件物理（結(jié)構(gòu)）分析與采購批的缺陷控制
• 電子元器件可以歸結(jié)為特定的工藝、將特定的材料、做成特定的結(jié)構(gòu)，來實現(xiàn)電子元器件特定的功能。
• 物理分析（結(jié)構(gòu)分析）采用先進的解剖、分析技術(shù)，研判元器件的設(shè)計、結(jié)構(gòu)、材料和制造工藝質(zhì)量是否滿足預(yù)定用途或有關(guān)規(guī)范的要求。以剔除由于設(shè)計、材料、制造過程中造成的、并且在同一批元器件中可引起重復(fù)出現(xiàn)的缺陷的元器件批，從而控制由于元器件具有批次性缺陷而引起的整機系統(tǒng)MTBF（平均無故障工作時間）降低的可靠性問題。
• 本篇介紹電子元器件缺陷分析方法，目前電子元器件主要的缺陷模式，翻新假冒的現(xiàn)狀及翻新假冒的判斷控制方法。
• 同時也將介紹仿真模擬技術(shù)在元器件失效分析中的具體應(yīng)用與產(chǎn)品可靠性壽命的評估等！
• 第三篇 元器件失效分析經(jīng)典案例
• “可靠性是設(shè)計進去制造出來的”，也就說，設(shè)計決定產(chǎn)品的可靠性，制造保證產(chǎn)品的可靠性。可靠性在產(chǎn)品的設(shè)計和制造中的核心是“細節(jié)”，產(chǎn)品在制造中出現(xiàn)的次品，在使用過程中出現(xiàn)的故障就是“細節(jié)”問題的體現(xiàn)。
• 產(chǎn)品的質(zhì)量可靠性問題歸結(jié)起來有：設(shè)計缺陷的問題，物料（元器件、集成電路、PCB、輔料）缺陷的問題，制造過程物料防護的問題，制造工藝缺陷的問題。這些問題就是產(chǎn)品制造過程中方方面面的細節(jié)沒有到位的結(jié)果。
• 本篇歸納總結(jié)了目前整機系統(tǒng)中常見的設(shè)計、制造工藝、元器件采購中“細節(jié)”問題引起的故障案例，剖析故障案例的分析方法、失效產(chǎn)生原因、失效的控制方法。案例主要包括：
  
• 1設(shè)計缺陷案例
• （1）電路原理和PCB版圖設(shè)計缺陷案例
• （2）元器件選用和元器件配合缺陷
• （3）安裝結(jié)構(gòu)缺陷案例
• 2 元器件（零部件）缺陷案例
• （1）元器件固有機理失效
• （2）元器件常見缺陷案例
• 3 制造工藝缺陷案例
• （1）焊接工藝失效案例
• （2）裝配機械應(yīng)力失效案例
• （3）污染及腐蝕失效案例
• 4 過電應(yīng)力失效案例
• （1）電壓失效案例
• （2）電流失效案例
• （3）熱及功率失效案例